空分設備中分子篩的加熱再生徹底性直接影響其吸附效率和空分系統(tǒng)的穩(wěn)定性。判斷分子篩加熱再生是否徹底，需結合工藝參數(shù)、設備狀態(tài)及分析數(shù)據(jù)綜合評估。

關鍵工藝參數(shù)監(jiān)測：再生溫度曲線分子篩再生通常需加熱至200-300℃，加熱階段溫度需持續(xù)達到設定值并保持一定時間（如2-4小時），確保熱量充分傳遞至分子篩內(nèi)部。冷吹峰值溫度，再生結束后，用干燥氣體（如空氣或氮氣）冷吹分子篩，其出口溫度會先下降后因分子篩殘留熱量而回升，形成“冷吹峰值”。冷吹峰值溫度應接近再生加熱溫度（如≥150℃）。再生時間通常為6-8小時（含加熱、冷吹和充壓階段）。

出口氣體分析：水分含量檢測，使用露點儀或濕度傳感器監(jiān)測再生出口氣體露點。再生徹底時，出口露點應≤-60℃（對應水分含量極低）。CO?含量檢測，通過紅外分析儀或色譜儀監(jiān)測再生出口CO?濃度。再生徹底時，CO?濃度應接近0 ppm。

設備運行狀態(tài)觀察：壓力波動，再生不徹底時，分子篩吸附容量下降，導致空分設備入口壓力波動或純度下降。分子篩床層壓差，再生不徹底可能導致分子篩顆粒結塊或粉塵增多，增加床層壓差。